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SK海力士傳明年建新晶片廠

中央社/ 2013.12.18 00:00
(中央社台北18日電)根據彭博引述2名知情人士透露,全球第2大記憶體晶片製造商SK海力士公司(SK Hynix Inc.)計畫在南韓興建一座新廠,滿足行動裝置攀升的需求。

根據要求匿名的消息人士表示,SK海力士計畫明年投資廠房、維修和升級當前設備至少4兆韓元(38億美元)。

其中1位知情人士透露,新廠將在明年開始興建,最早在2015年初量產動態隨機存取記憶體(DRAM)。

SK海力士第3季DRAM市占率28.5%,相較於三星電子(Samsung Electronics)的37.1%。

SK海力士發言人朴鉉(Park Hyun)接受電話訪問時表示,該公司正考慮興建新DRAM廠計畫,不過,細節尚未決定。

自SK海力士大陸無錫廠9月4日慘遭祝融後,晶片價格一路漲。根據集邦科技,主流DDR3 2GB DRAM晶片17日報2.34美元,相較於9月4日的1.60美元。

DRAM晶片加上NAND快閃記憶體,有助智慧型手機、平板電腦和電玩主機執行多重功能,像是播放影片等。

消息人士表示,明年維修和製程升級支出約3兆韓元。

SK海力士也面臨美光科技(Micron Technology)的挑戰,根據集邦科技,美光市占率達26.2%。(譯者:中央社劉淑琴)

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