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領先全球 國研院發表新電晶體

中央商情網/ 2013.12.03 00:00
(中央社記者林孟汝台北2013年12月3日電)半導體製程將從傳統的平面式結構轉為立體,繼國際大廠推出彎曲式的「鰭式場效電晶體」後,國研院今天發表領先全球的製程技術,首度做出不同高度的電晶體。

國研院奈米元件實驗室表示,「鰭式場效電晶體」(FinFET)因其形狀有如魚鰭而得名,其優點為以「立體」取代「平面」結構,可縮小電晶體在晶片上所占面積,並降低電晶體消耗的電力,因而提高晶片上可容納的電子元件密度。

不過,目前全世界晶片上所使用的鰭式電晶體,均是單一鰭高的電晶體。國際大廠英特爾(Intel) 2012年推出同一高度的立體「單一鰭高電晶體」,三星及IBM也預計在14奈米的微處理器上,走向立體式結構。

國研院表示,半導體積體電路的製造,可說是一場尺寸微縮與效能提升的競賽,半導體元件最先進的製程技術,約可在1平方公分的矽晶片上,容納約1億顆電晶體。

國研院領先全球開發出的「多重鰭高的鰭式場效電晶體」製程技術,可讓晶片設計更具彈性,並在同樣面積上增加約2000萬顆電晶體,相當可降低整體製造成本2成,大幅提升國內半導體廠商的國際競爭力。

國研院說,傳統場效電晶體、單一鰭高鰭式場效電晶體、多重鰭高鰭式場效電晶體,可以平房、高樓層單一面積房屋、以及高樓層卻擁有不同建築格局的房屋形容。

在有限的晶片面積上,多重鰭高鰭式場效電晶體可讓不同大小的電流「各住適合的房型」,達到晶片空間利用的最佳化。

國研院表示,從本月起,將開放製作平台給國內學術界研發各種元件雛型與製程技術,讓學術前瞻研究與產業接軌;預估可在5年內協助業界量產「多重鰭高的鰭式場效電晶體」。

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