第二條　第51款1.事實發生日:102/11/182.公司名稱:茂達電子股份有限公司3.與公司關係[請輸入本公司或子公司]:本公司4.相互持股比例:不適用5.傳播媒體名稱:不適用6.報導內容:不適用7.發生緣由:A.本公司申請之「低米勒電容之超級接面功率電晶體製造方法」發明，業於民國102年11月15日接獲通知取得中華民國專利發明第I415173號專利證書，其專利權期間為自西元2013年11月11日至西元2031年5月18日止。B.本公司申請之「具有厚底部介電層的溝渠式電晶體及其製作方法」發明，業於民國102年11月15日接獲通知取得中華民國專利發明第I415264號專利證書，其專利權期間為自西元2013年11月11日至西元2031年2月16日止。8.因應措施:無9.其他應敘明事項:無