力成第 3 季淨利3.9億元，季減45%，年減31.7%，前 3 季淨利為17.2億元，年減43%，每股稅後盈餘為2.25元；力成強調，第 3 季獲利不佳，是因人事成本增加，另外標準型DRAM上游供應商因電壓不足而影響供貨，影響第 3 季營運表現。
力成預期，第 4 季營收可望較第 3 季成長，10月營收可望較 9 月成長，其中DRAM受到海力士中國廠火災影響，標準型與繪圖型DRAM供應仍將吃緊。
Mobile DRAM方面，力成指出，目前需求仍強勁，但仍要觀察明年第 1 季是否會有劇烈的庫存調整，期望修正幅度有限。
FLASH需求動能則是維持強勢，但力成預期12月也會進入庫存調整，不過明年在固態硬碟等產品需求帶動下，FLASH的動能仍是看增。邏輯IC方面，力成指出，TSV目前單月產能已達8000片，預期明年年中月產能將擴到2.4萬片，另外晶圓級封裝預期明年年初就可損平。
資本支出力成預估明年約在80億元左右，其中 4 成用在NAND FLASH、3 成用於覆晶封裝(Flip Chip)與其他新技術，1 成用在POP封裝，2 成用在其他。
力成今日股價反應財報表現不佳利空，早盤開盤後隨即重摔跌停，跌破年線與50元支撐，創下下半年來新低價。