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力晶:公告本公司取得美國專利局核發US 8441053專利

鉅亨網/鉅亨網新聞中心 2013.09.26 00:00
第七條 第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直式無電容DRAM 記憶胞、DRAM 陣列及其操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:102/07/103.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$195,3514.其他應敘明事項:一種垂直式無電容DRAM 記憶胞,包括:第一導電型的源極層、設置於源極層上的第二導電型的儲存層、設置於儲存層上的第一導電型的主動層、設置於主動層上的第二導電型的汲極層、設置於主動層旁且以第一閘介電層與主動層相隔的位址閘,以及設置於儲存層旁且以第二閘介電層與儲存層相隔的儲存閘。要寫入此記憶胞時,可開啟由儲存層、主動層、汲極層、第一閘介電層及位址閘所形成之MOSFET,將載子自汲極層經主動層注入儲存層。

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