IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示，新款功率區塊元件採新一代矽技術，並使用5x6 mm PQFN封裝，還能有效把同步MOSFET源直接連接到印刷電路板的地線層散熱。
任何一枚5x6 mm封裝新型元件可憑藉強化的散熱效能和功率密度，取代2個5x6 mm封裝的標準獨立元件，能以較小的占位面積實現高電流、效率和頻率。
潘大偉表示，新功率區塊元件適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 和筆記型電腦等DC-DC同步降壓應用。1
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示，新款功率區塊元件採新一代矽技術，並使用5x6 mm PQFN封裝，還能有效把同步MOSFET源直接連接到印刷電路板的地線層散熱。
任何一枚5x6 mm封裝新型元件可憑藉強化的散熱效能和功率密度，取代2個5x6 mm封裝的標準獨立元件，能以較小的占位面積實現高電流、效率和頻率。
潘大偉表示，新功率區塊元件適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 和筆記型電腦等DC-DC同步降壓應用。1
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