聯電與美商共同開發28奈米

聯電表示，與SuVolta的合作，是將SuVolta的深度耗盡通道(DDC)電晶體技術，整合到聯電的28奈米高介電常數金屬閘極(HKMG)高效能移動(HPM)製程。

聯電指出，透過與SuVolta合作，將可利用DDC電晶體技術的優勢，降低功耗，並提高靜態隨機存取記憶體(SRAM)的低電壓效能。

聯電表示，客戶可選擇所有電晶體都使用DDC技術，或用DDC電晶體取代現有設計中部分電晶體。