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聯電與美商共同開發28奈米

中央社/ 2013.07.23 00:00
(中央社記者張建中新竹23日電)晶圓代工廠聯電今天宣布,與美國低功耗半導體技術開發商SuVolta合作,共同開發28奈米製程技術。

聯電表示,與SuVolta的合作,是將SuVolta的深度耗盡通道(DDC)電晶體技術,整合到聯電的28奈米高介電常數金屬閘極(HKMG)高效能移動(HPM)製程。

聯電指出,透過與SuVolta合作,將可利用DDC電晶體技術的優勢,降低功耗,並提高靜態隨機存取記憶體(SRAM)的低電壓效能。

聯電表示,客戶可選擇所有電晶體都使用DDC技術,或用DDC電晶體取代現有設計中部分電晶體。

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