應用材料公司以十年來在磊晶(epi)技術的領導之姿，推出以Applied Centura® RP 磊晶設備為基礎的NMOS電晶體新應用。這項能力帶動業界將磊晶技術向前躍進，促使磊晶能在20奈米時，從原來P型金屬氧化半導體延伸到N型金屬氧化半導體，協助晶片製造廠建置更快速的裝置，精進下世代行動運算力。
圖說：N型金屬氧化半導體磊晶技術能以約當提升半個裝置節點效能且不增加斷態能量損耗的情形下，提升電晶體速度。
應用材料公司半導體事業群電晶體與金屬化產品處副總裁史提夫‧甘納言表示，在建置高效能電晶體及提升晶片體速度如同微縮半個技術節點時，磊晶技術至為關鍵。除了已採用的PMOS磊晶外，藉由導入NMOS磊晶製程，協助晶圓代工客戶為其下世代裝置更進一步提升電晶體效能。
自90奈米技術節點，以即時摻雜技術做出具選擇性成長的應變磊晶薄膜，提升了PMOS的載子遷移率並有效降低阻抗， 進而增進電晶體的速度。在NMOS電晶體上運用選擇性成長的磊晶，也可獲取相似的提升，增進整體晶片效能。藉由提供PMOS和NMOS兩類型技術，應用材料公司竭盡心力協助產業精進，以符合多功能行動產品運算能力更快速、更強大的不斷需求。電晶體效能增強，讓我們的客戶能達到諸如改進多工及更高品質的圖形與影像處理等的先進能力。
應用材料公司Centura RP磊晶系統在PMOS磊晶應用上已是量產驗證的領導產品。所發布的訊息更宣示，這套系統所提供之選擇性沉積薄膜已成功擴展到NMOS電晶體應用範圍。應用材料公司領先業界且具專利的磊晶技術，能精準的進行原子摻雜，並產生高品質的應變薄膜。嚴謹的生產製程控制更確保了絕佳的薄膜特性、均勻度及幾不可見的缺陷。這些特點可解決，包括關鍵導電層之阻抗在內的多種晶片效能問題。