聯電與IBM共同宣布，聯電將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS製程技術；聯電指出，將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發計畫，聯電14奈米FinFET與10奈米未來的製造，則將在台灣南科的研發中心進行。
聯電與IBM兩家公司的協議，拓展雙方在2012年簽訂的14奈米FinFET合作協議。聯電表示，擁有IBM的支援與know-how，將可持續提升內部自行研發的14奈米FinFET技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計畫開發10奈米製程基礎技術，以滿足聯電客戶的需求。
IBM半導體研發副總Gary Patton表示，「IBM聯盟成立至今已逾10年，聯盟夥伴可整合運用我們的專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯華電子的加入，將使聯盟的實力更加強大。」
聯電執行長顏博文表示，「IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯電十分高興與IBM在先進製程領域攜手合作，貢獻我們多年來開發高競爭力製造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯電肩負著適時推出尖端製程，以實現客戶次世代晶片設計的使命與承諾。期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業來縮短10奈米與FinFET 的研發週期，為聯電與客戶締造雙贏。」