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聯電加入IBM晶片聯盟 共同開發10奈米製程技術

鉅亨網/鉅亨網記者尹慧中 台北 2013.06.13 00:00
聯電(2303-TW)(UMC-US)與IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布,聯華電子將加入IBM技術開發聯盟,共同開發10奈米CMOS製程技術。

聯電與IBM兩家公司此次的協議,拓展了雙方於2012年簽訂之14奈米FinFET合作協議。擁有IBM的支援與know-how,聯電將可持續提升其內部自行研發的14奈米FinFET技術,針對行動運算與通訊產品,提供富競爭力的低耗電優化技術。

雙方計畫開發10奈米製程基礎技術,以滿足聯電客戶的需求。聯電將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發計畫,而聯電14奈米FinFET與10奈米未來的製造,則將台灣南科的研發中心進行。

IBM半導體研發副總Gary Patton表示,IBM聯盟成立至今已逾十年,聯盟夥伴可整合運用IBM的專業知識,團隊研究合作與創新的技術研發,藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯電的加入,將使聯盟的實力更加強大。

聯電執行長顏博文表示,IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯電十分高興與IBM在先進製程領域攜手合作,貢獻該公司多年來開發高競爭力製造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一,聯電肩負著適時推出尖端製程,以實現客戶次世代晶片設計的使命與承諾。該公司期待與IBM密切合作,借重其深厚的技術專業來縮短10奈米與FinFET 的研發週期,為聯電與客戶締造雙贏。

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