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▲聯電與廠商合作28奈米矽智財

中央商情網/ 2013.05.29 00:00
(中央社記者許湘欣台北2013年5月28日電)晶圓代工廠聯電(2303)與半導體邏輯非揮發性記憶體(NVM)矽智財領導廠商Kilopass今天共同宣布,攜手合作先進製程28奈米矽智財。

雙方已簽署技術開發協議,Kilopass非揮發性記憶體矽智財,將於聯華電子兩個28奈米先進製程平台上提供,包括適用於生產可攜式裝置產品系統單晶片的高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate)28HPM;受消費性電子產品系統單晶片設計公司青睞的多晶矽(Poly /SiON)28HLP製程。

聯電28奈米製程的晶片閘極密度,為40奈米製程兩倍。具成本效益的28HLP多晶矽(Poly/ SiON)製程,與業界其他28奈米多晶矽製程相比,具備更優異效能及功耗提升。

為配合系統單晶片設計公司不同電源需求,這個製程提供多個電壓選項:1.8V,2.5V和2.5 /3.3V。28HPM高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate)製程,則提供臨界電壓選項、記憶體儲存單元和降頻/超頻功能,有助於系統單晶片設計公司,大幅提高產品整體效能和電池續航力。

聯電客戶工程暨矽智財研發設計支援副總簡山傑表示,聯電不斷致力於先進技術開發和及時產能導入,以充分滿足客戶需求。

為確保聯電客戶在28奈米製程上,不僅可採用聯電eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智財,也能獲取最佳第3方廠商非揮發性記憶體矽智財,聯電十分樂意與Kilopass公司持續合作,確保多元化反熔絲非揮發性記憶體(anti-fuse NVM)矽智財產品,能在28奈米製程平台上提供給客戶採用。

Kilopass公司董事長暨執行長Charlie Cheng表示,對於Kilopass與聯電進行中的策略合作感到非常高興。在聯電28奈米先進製程平台上,提供Kilopass非揮發性記憶體(NVM)矽智財產品,這樣的合作為兩家公司創造雙贏。

對於聯電來說,將可在聯電先進製程平台上,為客戶提供更廣泛的矽智財產品組合,對於Kilopass而言,可將業務範圍拓展到聯華電子28奈米製程市占率提升的行動設備,與消費性電子系統單晶片產品市場。

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