DRAMeXchange調查指出，過去幾年，全球記憶體市場供過於求，標準型DRAM、伺服器及行動記憶體皆走跌，整體DRAM的產值逐年遞減，去年2Gb DRAM價格僅達0.6美元，產值大減到265億美元。
近年來，一線DRAM廠因應終端市場需求轉變，紛將產能從標準型DRAM逐漸生產行動記憶體，台灣DRAM廠不堪虧損，幾乎全面退出DRAM市場，加上製程轉進趨緩，DRAMeXchange估算，去年DRAM位元成長下滑到30%以下，不及往年動輒50%以上的成長幅度。
因市場供給減少，智慧型手機、平板電腦帶動需求增加，今年DRAM市場供需趨向健康，不僅標準型DRAM價格大幅上揚，行動記憶體、伺服器記憶體也被帶動上漲；DRAMeXchange預期，今年整體DRAM平均銷售單價（ASP）至少年成長6%以上，DRAM產值則會達346億美元，較去年將大幅成長30%，其中以行動記憶體產值成長最大。
因DRAM產業結構調整已邁向尾聲，價格已翻揚，市場預期今年大部分DRAM廠將會逐漸轉虧為盈，且全面獲利將指日可待。
南科受惠認列前期存貨評價回升利益高達45億元，第1季已轉虧為盈，稅後盈餘5.06億元，上季稅後虧損88.81億元；華亞科3月雖已轉虧為盈，第1季仍稅後虧損6.13億元，上季稅後虧損37.2億元；華邦電稅後虧損3.37億元，季減37%，每股虧損0.1元。
南科、華亞科對今年全年後市持樂觀的正面看法，預期缺貨到今年底將逐季放大，第2季DRAM也因持續缺貨而帶動價格上漲，華亞科估營運會比第1季好很多，獲利可期；華邦電也認為，智慧型手機、平板電腦等行動裝置，明顯帶動DRAM需求成長，價格跟著走高，第2季營運將比第1季為佳，下半年更為樂觀。