第七條　第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:相變化記憶體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:102/01/023.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄ 48,7714.其他應敘明事項: 一種相變化記憶體元件之製作方法。提供一基底,其上形成有一下電極, 形成一加熱電極和一介電層於下電極上,其中加熱電極係被介電層環繞, 蝕刻加熱電極,以於介電層中形成一凹槽。沉積一相變化材料於介電層 上並填入凹槽中,研磨相變化材料,移除高於介電層表面之部份相變化層, 形成侷限於介電層之凹槽中的相變化層,形成一上電極於相變化層和 介電層上。