英國晶片設計公司安謀（ARM）搶下行動裝置市場大片江山，讓在個人電腦（PC）領域霸主的英特爾漸受威脅。看好台灣產業供應鏈競爭優勢，英特爾來台與工研院、業界結盟進行3D IC的記憶體研發計畫，切入高輸入/輸出（I/O）及高頻應用技術，企圖打進手機等行動裝置市場，與競爭對手安謀一分高下。
這項合作計畫是由英特爾（Intel）、工研院結合鈺創、力晶等記憶體廠商，攜手進行矽穿孔（TSV）技術的記憶體結合微處理器的3D IC研發，5年內共將投入1500萬美元，佈局在Ultrabook、平板電腦、智慧型手機等行動裝置技術領域，工研院將提供IC架構及軟體技術，目標是在5年內開發出超高速且節能性高的記憶體技術，預估要將功耗節省10倍到百倍。
工研院資通所所長吳誠文表示，應用手持式裝置的下世代記憶體，將利用TSV的矽穿孔技術，以堆疊方式將處理器與記憶體結合，有效縮減硬體空間，並將傳輸速度與容量往上推進。
他坦言，其中技術最大的挑戰難處，在於需要克服記憶體與處理器兩者的耗電量及速度有著相當大的落差。
吳誠文指出，這項下世代記憶體研發出的專利所有權屬於工研院，但如需使用到CPU相關專利，廠商需付給英特爾授權金。
業界認為，智慧型手機、平板電腦成為市場主流，衝擊PC出貨量下滑，逼著PC晶片大廠英特爾更加積極投入研發資源，轉戰手機、平板電腦等行動裝置市場。
已獲3項科專補助
工研院電子與光電研究所（簡稱電光所）副所長高明哲表示，進行中的3D IC研發計畫已獲3項科專補助，其中包括英特爾、記憶體業界合作研發案，陸續投入120名研發人力與資源在3D IC相關研究，預期將有助台灣DRAM業再創產業春天。
轉型利基型記憶體廠的南科也表示，矽穿孔技術在未來行動裝置及高速運算產品將極具潛力，該公司因應未來矽穿孔的3D IC技術可望成為市場主流，2年前與工研院進行經濟部技術處補助的「3D DRAM矽穿孔電極堆疊技術開發」專案計畫，目前已開發出第1顆TSV堆疊的8Gb DDR3 SDRAM原型產品，此為國內第1顆，南科將持續進行後續的開發，期望2014年能具備量產實力。