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高通切PA 封裝載板影響小

中央商情網/ 2013.03.02 00:00
(中央社記者鍾榮峰台北2013年3月2日電)通訊晶片大廠高通日前推出採用CMOS製程功率放大器。業界人士表示,對功率放大器既有IC封裝載板市場的變動和影響小。

無線通訊晶片大廠高通(Qualcomm)日前發表RF360 CMOS功率放大器(PA)晶片,正式進軍手機功率放大器市場,此晶片整合PA、Switch等功能,預計2013年下半年量產。

法人表示,封測大廠日月光(2311)有機會獲得高通功率放大器封測訂單,日月光目前在射頻元件客戶包括Skyworks、RFMD、Triquint和安華高(Avago)等。

業界人士表示,高通推出CMOS製程功率放大器產品,對既有IC封裝載板市場影響不大,高通功率放大器產品所需IC載板,可能由南韓的SEMCO、欣興(3037)或是景碩(3189)提供;在其他功率放大器載板市場,旭德(8179)也掌握不少市占率。

法人表示,在射頻元件和功率放大器領域,IC封裝載板形式按照高階和低階產品需求,包括打線覆晶封裝(WB-CSP)、晶片尺寸覆晶封裝(FC-CSP)載板或是高散熱型球閘陣列(BGA)載板等產品。

業界人士表示,功率放大器尚未整合入手機系統晶片(SoC),功率放大器牽涉複雜的切換頻率、需考量材料對訊號補償的影響,以及打線封裝材料的粗細程度對訊號補償的變數。

業界人士指出,高通功率放大器採用CMOS矽製程,雖能有利整合進入SoC的晶片設計,但占功率放大器9成的砷化鎵製程,對射頻訊號的穩定性較高,因此目前大多數功率放大器,仍採用砷化鎵製程。

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