無線通訊晶片大廠高通(Qualcomm)日前發表RF360 CMOS功率放大器(PA)晶片，正式進軍手機功率放大器市場，此晶片整合PA、Switch等功能，預計2013年下半年量產。
法人表示，封測大廠日月光(2311)有機會獲得高通功率放大器封測訂單，日月光目前在射頻元件客戶包括Skyworks、RFMD、Triquint和安華高(Avago)等。
業界人士表示，高通推出CMOS製程功率放大器產品，對既有IC封裝載板市場影響不大，高通功率放大器產品所需IC載板，可能由南韓的SEMCO、欣興(3037)或是景碩(3189)提供；在其他功率放大器載板市場，旭德(8179)也掌握不少市占率。
法人表示，在射頻元件和功率放大器領域，IC封裝載板形式按照高階和低階產品需求，包括打線覆晶封裝(WB-CSP)、晶片尺寸覆晶封裝(FC-CSP)載板或是高散熱型球閘陣列(BGA)載板等產品。
業界人士表示，功率放大器尚未整合入手機系統晶片(SoC)，功率放大器牽涉複雜的切換頻率、需考量材料對訊號補償的影響，以及打線封裝材料的粗細程度對訊號補償的變數。
業界人士指出，高通功率放大器採用CMOS矽製程，雖能有利整合進入SoC的晶片設計，但占功率放大器9成的砷化鎵製程，對射頻訊號的穩定性較高，因此目前大多數功率放大器，仍採用砷化鎵製程。