大型積體電路(LSI)使用平版印刷工具製造，用途為將主電路圖案投射到晶圓上並進行收縮。主電路圖案最初透過電子束光罩直寫設備寫入光罩上。以往，大部分電子束光罩直寫設備都使用點波束來寫入圖案，但需要透過縮放LSI使其變小。這就增加光罩的寫入時間，成為提高光罩製作效率的主要難題。
東芝和NFT合力開發出一種實用的電子束光罩直寫設備，其寫入精度和效率均有所提高。該電子束光罩直寫設備利用了可變形狀束(VSB)光罩寫入方法，可將電子束塑造成所需形狀填充到圖案中。
兩家公司研製一種新穎的公式與計算系統，能夠更快、更精準地校正近距離效果，避免出現來自光罩基板的散射電子改變電子束曝光，從而降低光罩圖樣精確度的現象。傳統技術需要數天時間進行計算，從而將目標計算誤差控制在0.5%以內。新公式將計算時間縮短到1小時內，從而能夠將即時計算與圖案寫入（電子束掃描和工具階段性運動）進行調整。
高亮度電子來源的開發與應用縮短光罩寫入時間。這點是透過改善電子來源材料和操作條件來提升亮度（一定時間內釋放出的電子數量）而實現的。這最終將電子束曝光到光罩上所需的時間縮短了95%，進而大幅縮短寫入時間。
雙方公司將繼續促進創新技術，以期滿足對精度和效率更高的光罩直寫設備高漲的需求。
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