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力成Q2快閃記憶體稼動率9成

中央社/ 2013.02.05 00:00
(中央社記者鍾榮峰台北5日電)記憶體封測廠力成董事長蔡篤恭表示,今年第1季封裝產能利用率84%,預估第2季快閃記憶體稼動率可超過9成。

力成今天下午舉辦法人說明會,董事長蔡篤恭表示,力成去年第4季封裝產能利用率在90%到95%左右,測試產能利用率在6成以下;預估今年第1季封裝產能利用率84%,其中DRAM稼動率50%到60%左右,快閃記憶體稼動率84%到85%,測試稼動率在6成以下,預估第2季快閃記憶體稼動率可超過9成。

觀察標準型動態隨機存取記憶體(Commodity DRAM)發展動向,蔡篤恭表示,供應商過去一年持續減產,去年年底價格開始向上,今年1月持續。蔡篤恭認為,標準型DRAM價格持穩情況會繼續下去,DRAM廠不會繼續擴增標準型產品,至少第1季會延續持穩。

在快閃記憶體部分,蔡篤恭指出,NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠商控制產量,去年第4季到現在,價格持續穩定,預估第1季價穩情況會持續;蔡篤恭預估第2季廠商會增加生產,同時控制生產量,不會供過於求,這代表在智慧型手機、平板電腦和超輕薄筆電等終端應用帶動下,NAND快閃記憶體需求可向上。

在產能規劃上,蔡篤恭指出,標準型DRAM封測產能,從2011年的每月2億顆調整到去年第4季的每月1.5億顆,預估今年第1季可調節到每月1.2億顆,第2季將調節至每月不到1億顆,降低對標準型DRAM的依賴度,產能調節到與市場需求差不多。

蔡篤恭表示,第2季DRAM產能將轉到其他地方,標準型DRAM產能可符合市場訂單需求,測試機台在第2季折舊費用會下降,超過5成測試機台會折舊完,第3季測試機台成本競爭力結構會提升。

在行動記憶體部分,蔡篤恭表示,去年第4季行動記憶體封測出貨量大,今年第1季客戶調節庫存,對行動記憶體封測業績會有傷害,不過到3月後情況會改善,第2季行動記憶體封測表現會比第1季好,需求會出來。

在行動記憶體測試上,蔡篤恭表示,固態硬碟(SSD)需要可靠度測試,目前NAND型快閃記憶體測試機台滿載, DRAM測試機台也可轉移到NAND Flash測試。

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