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東芝開發高速NANO FLASH快閃記憶體

中央商情網/ 2013.02.05 00:00
(中央社2013年2月5日電)根據美國商業資訊,東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)宣布,該公司已根據最初的NANO FLASH,為嵌入式微控制器開發出存取速度更快的NANO FLASH-100快閃記憶體。

嵌入式微控制器的豐富功能和高速效能需要更多存取速度更快的快閃記憶體。在意識到這項需求後,東芝開發融合兩大特性,即採用NAND快閃記憶體單元設備技術的高速程式設計和NOR快閃記憶體電路技術的NANO FLASH。隨後,東芝將這項高階效能帶給其獨創的微控制器和ARM核心微控制器。如今,隨著越來越多的使用者使用ARM核心微處理器,市場上開始需求速度更快的大記憶體容量。NANO FLASH-100便非常適合該市場。

NANO FLASH-100快閃記憶體具有以下特性,當隨機存取頻率為業界最高的100MHz時,新開發的NANO FLASH-100的等待週期為零。這可以讓ARM微處理器的核充分利用需要高速、大容量記憶體應用的出色效能和程式碼密度。此外,透過利用NANO FLASH微控制器的超低功耗技術,就可開發出多種高速、低功耗應用。

繼其首款NANO FLASH-100產品TMPM440F10XBG之後,東芝將推出更多採用ARM核心的產品,並將一如既往地為嵌入式微控制器積極開發快閃記憶體技術。

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