聯電與星廠開發3DIC技術
中央社/
13 年前
(中央社記者張建中新竹29日電)聯電與新加坡半導體封測廠星科金朋合作，成功在開放式供應鏈環境下，開發出內嵌矽穿孔(TSV)的3D IC技術。
聯電今天表示，與星科金朋成功開發的3DIC技術，由Wide I/O記憶體測試晶片與內嵌TSV的28奈米微處理器測試晶片所構成，已達成封裝層級可靠度評估的重要里程碑。
聯電這次結合28奈米HKMG製程，與星科金朋的晶圓薄化、晶圓背面整合、細微線距銅柱凸塊，及高精密度晶片對晶片3D堆疊等中段與後段製程。
聯電指出，與星科金朋的合作成功，確立3DIC開放式供應鏈運作方式，不須侷限在封閉的商業模式下開發。
聯電表示，開放式供應鏈模式，晶圓代工與封裝測試廠可充分發揮各自的核心優勢，客戶將可受惠更高的供應鏈管理彈性，技術取得也將更透明。
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