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聯電星科金朋合作3D IC

中央商情網/ 2013.01.29 00:00
(中央社記者張建中新竹2013年1月29日電)晶圓代工廠聯電(2303)今天宣布,與新加坡半導體封測廠星科金朋合作,成功在開放式供應鏈環境下,開發出內嵌矽穿孔(TSV)的3D IC技術。

聯電表示,與星科金朋成功開發的3D IC技術是由Wide I/O記憶體測試晶片,與內嵌TSV的28奈米微處理器測試晶片所構成,已達成封裝層級可靠度評估的重要里程碑。

聯電這次與星科金朋合作,是結合聯電28奈米HKMG製程,與星科金朋的晶圓薄化、晶圓背面整合、細微線距銅柱凸塊,及高精密度晶片對晶片3D堆疊等中段與後段製程。

聯電指出,與星科金朋的合作成功,確立3D IC開放式供應鏈運作方式,不須侷限在封閉的商業模式下開發。

聯電表示,開放式供應鏈模式,晶圓代工與封裝測試廠可充分發揮各自的核心優勢,客戶將可受惠更高的供應鏈管理彈性,技術取得也將更透明。

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