聯電與新加坡半導體封測廠商星科金朋(STATS ChipPAC)29日共同宣佈，展示全球第一件在開放式供應鏈環境下合作開發的內嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術；所展示的3D晶片堆疊，由Wide I/O記憶體測試晶片和內嵌TSV的28奈米微處理器測試晶片所構成，並且達成封裝層級可靠度評估重要的里程碑。
聯電指出，這次的成功，證明透過聯電與星科金朋的合作，在技術和服務上結合晶圓專工與封測供應鏈，將可以順利實現高可靠度3D IC製造的全面解決方案。
「晶片整合層次提升的趨勢正快速演進當中，3D IC技術在增進IC功能上勢必扮演不可或缺的角色，實現的模式也將多元化」。星科金朋技術創新副總Shim Il Kwon表示，「在開放式供應鏈的合作模式下，晶圓專工業尖端的TSV、前段晶圓製程可以與封測業高度創新的中段、後段3D IC堆疊封測製程整合成互補的完整平台，為半導體市場驅動可靠的3D IC解決方案」。
聯電先進技術開發處簡山傑副總表示，「我們認為3D IC無需侷限在封閉的商業模式之下開發，因此致力與所有主要的封測夥伴合作開發3D IC，並且都有相當程度的進展。我們與封測領導廠商，例如星科金朋之間的豐碩合作成果，更加確立3D IC開放式供應鏈的運作方式」。