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Flash產值估超越DRAM

中央社/ 2012.12.21 00:00
(中央社記者張建中新竹21日電)研調機構IC insights預期,今年整體快閃記憶體(Flash)市場產值可望達304億美元,將首度超越動態隨機存取記憶體(DRAM)。

IC insights表示,在智慧手機、平板電腦及其他個人多媒體裝置強勁需求趨動下,包括儲存型快閃記憶體(NAND Flash)及編碼型快閃記憶體(NOR Flash)整體Flash市場,今年產值可望達304億美元,將年增2%。

反觀DRAM市場,受需求疲弱,產品價格低迷影響,IC insights預期,今年DRAM產值恐將自去年的313億美元,滑落至280億美元;整體Flash市場產值將首度超越DRAM。

IC insights還指出,明年光NAND Flash產值便可超越DRAM;預期2012至2017年NAND Flash產值年複合成長率可望達14%,將逐步拉大與DRAM間的差距。

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