旺宏表示，IEDM被視為是微電子元件界的奧林匹克盛會，每年皆吸引全球各地傑出的研究成果於會中發表，平均每年有超過600篇論文投稿，再嚴謹評選出200餘篇論文於會中發表。
今年IEDM即將於10日在美國舊金山舉行，台灣共有21篇論文獲選，旺宏有5篇論文獲選；其中，3篇以3D記憶體為主，1篇論述快閃記憶體的自我缺陷修復技術，1篇有關相變化記憶體新材料開發。
旺宏指出，今年IEDM推薦11篇焦點論文，旺宏有快閃記憶體自我缺陷修復技術與降低3D記憶體光罩使用量的製程技術2篇論文獲選，充分展現旺宏研發實力。