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旺宏5篇論文 入選IEDM

中央社/ 2012.12.05 00:00
(中央社記者張建中新竹5日電)記憶體製造廠旺宏電子今天宣布,有5篇論文獲選將於國際電子元件大會(IEDM)發表。

旺宏表示,IEDM被視為是微電子元件界的奧林匹克盛會,每年皆吸引全球各地傑出的研究成果於會中發表,平均每年有超過600篇論文投稿,再嚴謹評選出200餘篇論文於會中發表。

今年IEDM即將於10日在美國舊金山舉行,台灣共有21篇論文獲選,旺宏有5篇論文獲選;其中,3篇以3D記憶體為主,1篇論述快閃記憶體的自我缺陷修復技術,1篇有關相變化記憶體新材料開發。

旺宏指出,今年IEDM推薦11篇焦點論文,旺宏有快閃記憶體自我缺陷修復技術與降低3D記憶體光罩使用量的製程技術2篇論文獲選,充分展現旺宏研發實力。

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