工研院表示，傳統電晶體是在380度高溫製程中，在矽晶圓或玻璃等堅固材質上，利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導體製程，在矽晶圓上製作出極小的微結構。
工研院開發出的IGZO TFT陣列技術，使用塑膠基板及低溫200度以下製程，可突破電晶體與塑膠基板因熱漲冷縮易破裂的問題，使軟性基板在製程中維持平坦性及透明度，易於製造高撓曲TFT背板。
工研院指出，目前IGZO TFT陣列技術已整合應用於KANEKA軟性塑膠基板，並經雙方驗證，可廣泛應用於軟性主動式有機發光二極體(AMOLED)及OLED照明等領域，可加速實現可彎曲的手機及電腦等產品。
工研院表示，與KANEKA在IGZO TFT陣列技術的合作開發成果，已獲選為IDW論文，將受邀於4日研討會中發表。