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開發高階邏輯IC封裝 力成明年Q2收割

自由時報/ 2012.11.27 00:00
〔自由時報記者洪友芳/新竹報導〕記憶體封測廠力成(6239)積極轉型,跨足高階邏輯IC封裝,布局微機電(MEMS)、矽穿孔(TSV)、3D IC封裝新技術,已陸續獲得客戶青睞,預計明年第二季可看到投資效益。

力成早已看到高階邏輯IC封裝的市場商機,並轉投資成立聚成科技,鎖定高階邏輯IC封裝技術發展。今年來,受爾必達財務危機影響,市場對標準型DRAM需求疲軟,加速力成降低標準型DRAM營運比重、往高階邏輯IC封裝的布局投資腳步,以尋求營運轉型。

力成今年資本支出65億元,約有三分之二的金額將投資在高階邏輯IC的新技術,包括微機電(MEMS)、矽穿孔(TSV)、銅柱凸塊(Cu Pillar Bump)、3D IC等;新技術已陸續進入試產或送客戶驗證,並陸續獲得國內外客戶青睞。

力成指出,高階邏輯IC封裝預計明年第二季可看到投資效益。力成第三季營運獲利大減,合併毛利率15.1%,稅後盈餘5.72億元,季減達56.7%,每股盈餘0.73元;法人預估,第四季及明年第一季營運表現恐不會出現明顯轉機。

力成上週股價跌破40元大關,昨收盤價40.7元;公司是否再啟動庫藏股實施計畫,預計12月間召開董事會才會揭曉。

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