愛德萬測試表示，過去半導體技術發展遵循摩爾定律，要邁向更小製程發展時，不免遇上技術瓶頸；鰭狀場效電晶體(FinFET)等3D電晶體技術發展，可望銜接22奈米節點與後續1X奈米節點量產之間的鴻溝。
針對3D IC晶圓量測需求，以專利電子束掃描技術為核心，愛德萬測試開發多視角量測掃描式電子顯微鏡，可在各種晶圓上量測接腳間距圖樣，支援材料除了矽晶圓之外，還包括AlTiC、石英、碳化矽晶圓等，可支援尺寸從150mm到300mm不等。
愛德萬測試表示，電子顯微鏡的多重偵測器配置設定功能，可在1Xnm節點穩定進行精確性量測；專利偵測演算法可量測3D FinFET架構。