第二條　第51款1.事實發生日:101/09/282.公司名稱:力晶科技股份有限公司3.與公司關係[請輸入本公司或聯屬公司]:本公司4.相互持股比例:不適用5.發生緣由:取得專利6.因應措施:不適用7.其他應敘明事項:(1)專利商標及著作權之內容：製作快閃記憶體的方法(2)專利商標及著作權之取得日期：101/09/11(3)取得專利商標及著作權之成本：NT＄98,500(4)其他應敘明事項： 本發明提供製作快閃記憶體之方法，首先提供一半導體基底，然後在半導體基 底中製作絕緣淺溝結構，於半導體基底表面形成一浮置閘極介電層。然後依序 於半導體基底上沉積一導電層與一研磨緩衝層，再進行一研磨製程，以絕緣淺 溝結構當作停止層而移除部分導電層與研磨緩衝層。然後移除剩下之研磨緩衝 層，於半導體基底上依序形成一介電層、一控制閘極與一圖案化之蓋層。最後 ，移除沒有被蓋層覆蓋之介電層與導電層以製作浮置閘極。