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緊追台積電 格羅方德推14奈米 結合20奈米LPM

鉅亨網/鉅亨網記者尹慧中 台北 2012.09.21 00:00
不讓台積電(2330-TW)(TSM-US)專美於前。GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(21)日宣布推出專為成長快速的行動市場所設計的新技術14nm-XM,加速其頂尖的發展藍圖並採優化新世代行動裝置的 FinFET電晶體架構;並結合將量產的20奈米LPM製程。

該公司說明,推出的 14nm-XM技術,將為客戶提供 3D「FinFET」電晶體的效能及能源優勢,不僅可降低風險,更能加快上市時間,從而幫助無晶圓廠生態體系維持行動市場的領導地位的同時,開發出新一代的智慧行動裝置。

XM 是「eXtreme Mobility」的縮寫,為業界最頂尖的非平面式架構,真正為行動系統單晶片 (SoC) 設計做了優化,提供從電晶體到系統層級的完整產品解決方案。在 20nm技術節點,相較於目前的 2D 平面式電晶體,這項技術預計可望提升40% - 60%的電池使用壽命。

14nm-XM採用模組化的技術架構,完美結合了14nm的FinFET 元件與 GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產的20nm-LPM 製程技術。運用成熟的20nm-LPM技術,讓想利用FinFET SoC 優勢的客戶,能以最快的速度順利轉移。

值得注意的是,GLOBALFOUNDRIES技術研發工作已展開,矽晶片也已透過位於紐約薩拉托加郡的晶圓 8 廠進行測試。初期製程設計套件 (PDKs) 現已開始提供,並預計將於2013 年可提供客戶產品投片。

GLOBALFOUNDRIES 技術長 Gregg Bartlett 表示,GLOBALFOUNDRIES 投入 FinFET 研發已超過 10 年,將以此為基礎讓這項技術得以進入生產階段。有信心透過這項深厚的基礎將可讓我們帶領業界進入 FinFET 的量產階段,就如同在高介電金屬閘極 (HKMG) 技術領域的成就。

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