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▲4家DRAM廠 Q2虧損減百億

中央商情網/ 2012.09.03 00:00
(中央社記者張建中新竹2012年9月2日電)受惠動態隨機存取記憶體(DRAM)價格反彈,4家DRAM廠南科、華亞科、力晶及瑞晶第2季虧損同步縮小,虧損金額共較第1季減少新台幣102億元,減幅逾4成。

隨著美光(Micron)出線,將整併日本記憶體大廠爾必達(Elpida),未來DRAM產業將呈三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光寡占局面。

在市場預期漲價的心理因素驅動下,個人電腦代工廠積極備貨,帶動第2季DRAM產品價格止跌回升,促使DRAM廠虧損同步縮小。

除產品價格反彈外,南科(2408)與華亞科(3474)製程技術自42奈米推進至30奈米,有助降低成本,另外,非標準型DRAM產品比重持續拉升,都有助營運改善。

南科第2季稅後淨損66.83億元,較第1季虧損減少35.6%。華亞科第2季稅後淨損29.76億元,同樣較第1季虧損減少33%。

力晶(5346)因面板驅動IC等晶圓代工業務急遽成長,第2季稅後淨損也縮小至30.38億元,較第1季減少45.36%。

瑞晶(4932)因少了業外爾必達呆帳損失影響,第2季稅後淨損縮小至15億元左右,是4大DRAM廠中虧損最少的廠商,較第1季虧損減少達6成,也是4大DRAM廠中虧損減幅最大者。

包括南科、華亞科、力晶及瑞晶4大DRAM廠,第2季合計虧損約142億元,較第1季虧損減少102億元,減幅達41%。

只因4大DRAM廠持續虧損,每股淨值也進一步下滑,至6月30日南科每股淨值降至0.39元,華亞科每股淨值降至5.56元,力晶每股淨值降至0.28元,是4大DRAM廠中最低者。

瑞晶每股淨值為12.18元,是4大DRAM廠中唯一每股淨值仍維持在10元之上的廠商。

為改善財務結構,力晶第3季將完成減資332.44億元,減資比率達6成,將有助拉升每股淨值。此外,南科將辦理私募增資,每股1.7元發行,也將有助拉升每股淨值。

現金流量方面,南科第2季雖然仍處營業淨現金流出情況,不過,流出金額自第1季的73.69億元,大幅縮小至5.7億元。

力晶則維持營業淨現金流入狀態,流入金額自第1季的6.75億元,擴增至8.31億元,營運狀況同步好轉,有利紓緩營運資金吃緊壓力。

華亞科則自第1季營業淨現金流入72億元,轉為營業淨現金流出12.8億元。

展望未來,DRAM市場需求疲弱不振,供過於求情況依然嚴重,產品價格自7月起又逐月走跌,是否影響DRAM廠第3季虧損又轉為擴大值得留意。

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