●聯電取得IBM授權 加速開發

聯電表示，為能適時推出尖端製程，協助客戶次世代晶片設計，決定借重IBM專業技術，縮減20奈米與鰭式場效記憶體(FinFET)研發週期。

聯電指出，根據雙方協議，IBM將授權聯電20奈米設計套件，及FinFET技術。

聯電表示，內部自行研發的20奈米平面製程，將與IBM的設計規則與製程/元件目標同步；未來聯電的FinFET技術，將針對行動運算與通訊產品，以強化低耗電功能。

聯電20奈米與FinFET技術研發，將於南科研發中心進行。