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聯電新加坡IME合作TSV

中央社/ 2012.06.05 00:00
(中央社記者張建中新竹5日電)晶圓代工廠聯電今天宣布,與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院(IME)合作開發矽穿孔(TSV)技術,將應用於背面照度式影像感測器。

聯電表示,背面照度式互補金氧半導體(CMOS)影像感測技術可讓像素微縮至微米級大小,並保有高效能,可滿足市場對縮小像素及兼顧效能的需求。

透過結合IME在12吋TSV生產線的晶圓薄化、接合、重佈與凸塊的實力,聯電指出,將有助開發與CMOS影像感測器元件結合的TSV製程,可有效提高微縮像素的影像感測器靈敏度。

聯電表示,與IME合作開發的背面照度式CMOS影像感測器TSV技術,將可廣泛應用於智慧手機、數位相機及平板電腦等行動電子產品。

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