第二條　第51款1.事實發生日:101/03/302.公司名稱:力晶科技股份有限公司3.與公司關係[請輸入本公司或聯屬公司]:本公司4.相互持股比例:不適用5.發生緣由:取得專利6.因應措施:不適用7.其他應敘明事項:(1)專利商標及著作權之內容：非揮發性半導體記憶裝置及其讀取方法(2)專利商標及著作權之取得日期：101/01/12(3)取得專利商標及著作權之成本：NT＄198,983(4)其他應敘明事項： 一種非揮發性半導體記憶裝置,即使發生FG-FG耦合效應亦能夠防止 誤讀取動作出現。非揮發性半導體記憶裝置具有一記憶體單元陣列 ,利用設定不同啟始電壓來記錄至少LSB和MSB兩位元;以及一控制電 路,用以控制對於上述記憶體單元陣列進行資料讀取的動作。當第一 字元線連接的記憶體單元進行資料讀取時,判斷相鄰之第二字元線連 接的記憶體單元是否進行MSB的寫入動作。當判斷出進行MSB的寫入 動作時,則將上述第一字元線連接之記憶體單元中進行資料讀取之位 元線的預充電電壓,降低一既定電壓,用以抵消各閘極間之耦合效應 所導致的啟始電壓上昇電壓部分。