第二條　第51款1.事實發生日:101/03/292.公司名稱:力晶科技股份有限公司3.與公司關係[請輸入本公司或聯屬公司]:本公司4.相互持股比例:不適用5.發生緣由:取得專利6.因應措施:不適用7.其他應敘明事項:(1)專利商標及著作權之內容：動態隨機存取存儲器之冠狀電容器的製作工藝及結構(2)專利商標及著作權之取得日期：101/02/08(3)取得專利商標及著作權之成本：NT＄66,304(4)其他應敘明事項： 一種動態隨機存取記憶體之冠狀電容器的製程及結構，其中製程部分如下。 首先提供上有模板層的基底，再於模板層上形成圖案化支撐層。接著形成犧 牲層覆蓋圖案化支撐層，再形成穿過犧牲層、圖案化支撐層及模板層的開孔， 其中圖案化支撐層位於開孔側壁發生彎曲處的深度，且於開孔側壁上之圖案化 支撐層的彎曲程度小於犧牲層。接著於基底上方形成實質上共形的導電層，再 將其分割成冠狀電容器的下電極。