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DRAM廠轉戰低容量快閃 今明年營運顯

自由時報/ 2012.03.26 00:00
記者洪友芳/專題報導

儲存型快閃記憶體向來是國際大廠的天下,國內記憶體大廠旺宏(2337)、華邦電(2344)、力晶(5346)開始進軍NAND Flash領域,瞄準較低容量SLC的NAND Flash市場競逐,今年到明年可望挹注營運。

NAND Flash上游主要供應商包括三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)、美光(Micron)及英特爾(Intel),各爭食高容量的SSD、智慧型手機、平板電腦應用市場,製程並已推升到20奈米。

力晶因DRAM虧損慘重,去年營運策略轉晶圓代工與利基型產品,也宣佈生產國際大廠淡出的低容量NAND Flash產品,目前已開始供應給客戶,數量約數千片,今年可望逐漸增多。

旺宏近期也宣佈推出自有技術開發的512MB與1Gb SLC NAND Flash產品,應用機上盒、數位相機、電視、網通、工業、車規等產品領域,已開始送樣給客戶,並以75奈米製程展開試產。

華邦電預計下半年將以46奈米產出低容量的SLC NAND Flash產品,今年底到明年第一季推出,鎖定通訊、消費性電子與車用市場,華邦電期望明年貢獻部分營收,後年能成為帶動營運成長的主力之一。

市場認為,SLC NAND Flash主要為儲存用在開機與應用軟體的功能,市場性不大,估一年需求片數約一座12吋晶圓廠規模,目前海力士市佔率最大,力晶、旺宏、華邦電先後加入市場,戰火恐升高。

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