在四方形平面無引腳(QFN)領域，日月光和矽品仍保持領先地位，朝向多排QFN(Multi row QFN)發展，聯發科(2454)手機晶片採用日月光aQFN封裝技術；矽品今年也積極計畫量產強化型QFN(eQFN)封裝技術。
在覆晶封裝(Flip Chip)部分，覆晶封裝的植凸塊技術講究更小凸塊間距和無鉛環保，正從錫球凸塊朝向銅柱凸塊(Copper Pillar)演進。日月光和矽品今年持續投資覆晶封裝機台，星科金朋和力成也表態參與，南茂也正積極布局。
矽品今年計畫量產銅柱凸塊整合晶片尺寸覆晶封裝(FC-CSP)產品；力成預計今年7月或8月完工的湖口新廠，也將量產銅柱凸塊產品；南茂今年計畫充分利用 8吋晶圓產能生產銅柱凸塊。
在類比、電源管理、射頻晶片、LED驅動IC等廣泛應用的晶圓級封裝(Wafer Level Package)技術，日月光、矽品、星科金朋早就積極卡位，南茂和力成也急起直追。
日月光目前正在積極擴充扇出型晶圓級封裝(FOWLP，Fan-out Wafer Level Package)產能，合作對象主要是英特爾(Intel)的基頻通訊晶片；星科金朋宣示進一步擴大在台晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)產能，預估年產能可達6萬片；力成也逐步進軍WLCSP，預計在今年上半年從實驗室小量生產，2013年開始量產。
南茂也計畫在今年擴大投資12吋晶圓級晶片尺寸封裝生產線，1成多資本支出會放在WLCSP植球機和多晶片封測設備，12吋WLCSP封測產線分工也已確立；南茂負責晶圓佈線和封裝，子公司泰林(5466)負責測試業務。
至於在矽穿孔(TSV)3D IC封裝領域，日月光正在與美系手機應用處理器廠商合作開發3D IC產品，在2.5D IC矽中介層封裝領域，日月光也和這家美系大廠合作開發相關手機晶片產品，預計今年下半年可進入量產階段。
力成則採取繞過2.5D IC過渡階段、直接切入3D IC的策略，力成3D IC新廠預計今年第3季完工，目前力成已經和4家國外手機應用處理器大廠合作，可望在2013年交貨首批採用3D IC封裝的手機應用處理器產品。
矽品採取直接進軍 3D IC策略，正與歐美客戶合作開發採用28奈米製程的手機通訊晶片產品，以及PC微處理器產品，預計在2013年進入量產階段。