應材技術推進 曝影縮至10奈米

應用材料表示，Tetra Z系統運用精密材料工程及電漿反應動力學技術，擴充193奈米微影術的應用。

應用材料指出，Tetra Z系統提供的光罩蝕刻技術，能夠進行10奈米以下4重曝影。

應用材料Tetra Z的光罩蝕刻效能與缺陷控制技術，將可滿足邏輯與記憶體裝置的先進圖案製程技術要求。