法新社與彭博報導，總公司都設在美國的英特爾與美光表示，3D XPoint晶片是1989年NAND Flash（儲存型快閃記憶體）上市之後，25年來市面首見的主流存儲晶片，速度比NAND Flash快1000倍，儲存資料的密度也比傳統記憶體高出10倍，被譽為「重大突破」。
3D XPoint晶片已在製造之中，預計今年稍晚就能把樣本送給潛在客戶。
英特爾資深副總克羅希（Rob Crooke）表示：「數十年來，業界都在尋找降低處理器與資料間lag時間的方法，容許更快速的分析。」
「這種新等級的非揮發性記憶體達到這個目標，對記憶體與儲存解決方案帶來改變遊戲規則的表現。」（譯者：中央社鄭詩韻）