國際電機電子工程師學會(IEEE)所屬的ETA KAPPA NU (HKN)榮譽學會選出2018年度的Vladimir Karapetoff科技終身成就獎得主。國立交通大學校長暨中央研究院院士張懋中博士，因其對超高頻半導體通訊元件和系統晶片的創新突破，及其對近代電子學和人類生活、文明所產生的不可或缺影響，榮獲2018 Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章，已於加拿大溫哥華年會中接受表揚。

　　　Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章於1992年成立，旨在表彰工程及科學領域的傑出終身成就。曾獲得2000年諾貝爾物理獎的Jack Kilby；獲得美國總統科學獎章的Tom Kailath；獲得京都獎(Kyoto Prize)的DRAM發明人Robert Dennard；以及發明LED並獲得美國總統科學及工程雙獎章的Nick Holonyak都曾是得主。

　　交大張校長在1990年代，於美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室帶領團隊完成異質結雙極性高速電晶體(HBT) 與積成電路的研究與開發，在成功量產後成為歷代智慧手機必備發射器關鍵元件。其所開發的砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器在全球獨占鰲頭，已超過100億台，成為舉世智慧型手機的首選，對無線通訊產業及學術界造成顛覆性的貢獻。

　　交大張校長也對超高頻無線及混合信號之積成電路及系統在通信、雷達、聯結、影像、及光譜等系統的研究及開發貢獻卓著，使其成為基礎研究和實際應用雙領域首屈一指的先驅學者。曾榮膺美國國家工程學院(National Academy of Engineering)院士、美國發明家學院(National Academy of Inventors)院士和中央研究院院士等殊榮。2018年也榮獲大不列顛工程與科技學會(IET)之 J. J. Thomson 獎章，在全球工程學界享有崇高的學術聲望。此次獲得2018 Vladimir Karapetoff 科技終身成就獎，再次肯定他在教育及學術上的全球領導地位。（圖片／交大提供）

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