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蕃新聞

紀念浮閘效應發現50周年 交大3/27舉辦記憶體技術研討會

大成報/ 2017.03.20 00:00
【大成報記者羅蔚舟/新竹報導】

「浮閘風華再現,記憶恆久遠!」今(2017)年欣逢國立交通大學榮譽講座教授暨中央研究院院士施敏博士發現「浮閘(floating gate)記憶體效應」五十周年。為慶祝這項重大成就,交通大學電機學院與電子工程學系將於3月27日(星期一)在交大電子資訊中心國際會議廳舉行「國際非揮發性記憶體研討會」,吸引包括台積電、聯電、旺宏、華邦、力旺、美光、工研院、國研院與多所大學學者報名參與。

「浮閘(floating gate)記憶體效應」係後續多種非揮發性記憶體技術的奠基石,包括早期的EPROM與現在熱門的快閃記憶體技術,奠定今日非揮發性半導體記憶體產業的基礎並開啟了數位電子時代。「國際非揮發性記憶體研討會」特地邀請來自世界執記憶體領域牛耳的七位大師,就記憶體相關技術的發展歷史、現況與未來趨勢進行精闢講解與分析。包含交通大學榮譽講座教授施敏博士、義大利意法半導體Paolo Cappelletti博士、英國聖安德魯斯大學James F. Scott教授、瑞典哥德堡大學Johan Åkerman教授、美國史丹佛大學H.-S. Philip Wong教授、德國亞琛工業大學Rainer Waser教授及國內旺宏公司盧志遠董事長。

21世紀是大數據時代,幾乎所有新興的應用都對大量數據的儲存提出殷切的需求。如何開發新一代更大儲存密度、更快儲存與讀取速度、更省電與可靠的非揮發性記憶體技術成為各電子強權國家的產業競爭首要之一。

交通大學電子系向來是國內相關技術研究最主要的學術機構,系內多位教授從事各種先進與新興的記憶體技術多年,培養的學生也成為國內產業界的主力來源。本系傑出的研究成果享譽國際,深獲各位國際知名大師的肯定並在第一時間答允受邀來台參與此盛會。希冀透過此研討會的舉行,促進專家學者與國內產學研人員進行交流,進一步提升非揮發性記憶體技術研究的動能。

(圖由交大提供/交通大學電機學院與電子工程學系將於3月27日(星期一)在交大電子資訊中心國際會議廳舉行「國際非揮發性記憶體研討會」,吸引包括台積電、聯電、旺宏、華邦、力旺、美光、工研院、國研院與多所大學學者報名參與。)

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